Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả của công ty: | |
| Định dạng: | eBook |
| Ngôn ngữ: | Spanish |
| Được phát hành: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1991.
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://elibro.net/ereader/unach/87594 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|