Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...
Saved in:
| Hovedforfatter: | |
|---|---|
| Institution som forfatter: | |
| Format: | eBog |
| Sprog: | Spanish |
| Udgivet: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1991.
|
| Fag: | |
| Online adgang: | https://elibro.net/ereader/unach/87594 |
| Tags: |
Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
|