Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Autor Corporativo: | |
| Formato: | livro electrónico |
| Idioma: | Spanish |
| Publicado em: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1991.
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://elibro.net/ereader/unach/87594 |
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