Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares

En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...

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主要作者: González Díez, María Yolanda.
企业作者: e-libro, Corp.
格式: 电子书
语言:Spanish
出版: Madrid : Universidad Complutense de Madrid, 1991.
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