Slika na naslovnici

Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares

En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...

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Bibliografske podrobnosti
Glavni avtor:	González Díez, María Yolanda.
Korporativna značnica:	e-libro, Corp.
Format:	eKnjiga
Jezik:	Spanish
Izdano:	Madrid : Universidad Complutense de Madrid, 1991.
Teme:	Materiales. Materials. Libros electrónicos.
Online dostop:	https://elibro.net/ereader/unach/87594
Oznake:	Označite Brez oznak, prvi označite!

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