Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
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| Korporativní autor: | |
| Médium: | E-kniha |
| Jazyk: | Spanish |
| Vydáno: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1991.
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| Témata: | |
| On-line přístup: | https://elibro.net/ereader/unach/87594 |
| Tagy: |
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