Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...
Tallennettuna:
Päätekijä: | |
---|---|
Yhteisötekijä: | |
Aineistotyyppi: | E-kirja |
Kieli: | Spanish |
Julkaistu: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1991.
|
Aiheet: | |
Linkit: | https://elibro.net/ereader/unach/87594 |
Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|