Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...
Gorde:
Egile nagusia: | |
---|---|
Erakunde egilea: | |
Formatua: | eBook |
Hizkuntza: | Spanish |
Argitaratua: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1991.
|
Gaiak: | |
Sarrera elektronikoa: | https://elibro.net/ereader/unach/87594 |
Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|