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Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares

En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: González Díez, María Yolanda.
Erakunde egilea: e-libro, Corp.
Formatua: eBook
Hizkuntza:Spanish
Argitaratua: Madrid : Universidad Complutense de Madrid, 1991.
Gaiak:
Materiales.
Materials.
Libros electrónicos.
Sarrera elektronikoa:https://elibro.net/ereader/unach/87594
Etiketak: Etiketa erantsi
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245 1 0 |a Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares  |h [recurso electronico] /  |c María Yolanda González Diez ; director, Luisa González Sotos. 
260 |a Madrid :  |b Universidad Complutense de Madrid,  |c 1991. 
300 |a 10-250 p. 
500 |a Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales. 
520 |a En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilacion de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre sustratos de Si tambien tratados a baja temperatura. 
533 |a Recurso electrónico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible vía World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro. 
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